KioxiaとSandiskは、第10世代となるQLC（クアッドレベルセル）3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新世代では332層アーキテクチャを採用し、第8世代と比較してビット密度が最大60%向上、37Gb/mm²超を達成している。これはフラッシュメモリ業界における新たなベンチマークを打ち立てるものだ。
インターフェース速度においても大きな進化を遂げており、Toggle DDR6.0とSeparate Command Address（SCA）プロトコルを採用することで業界初となる4.8Gb/sのNANDインターフェースを実現している。従来世代と比べて読み書き帯域幅も大幅に改善されており、ストレージの転送性能が求められる用途に対応できるとされている。
製造技術面では、両社が推進する「CMOS directly Bonded to Array（CBA）」アーキテクチャを継続採用している。CMOSロジックとメモリアレイを別々のウェハーで製造した後、高精度のウェハー間接合で貼り合わせるこの技術により、密度のスケーリング・パフォーマンス・製造効率の三点を同時に高めることが可能だ。また、Power-Isolated Low-Tapped Termination（PI-LTT）技術によりI/Oデータ転送時の消費電力効率も改善されている。
発表ではAIインフラやクラウドデータセンター向けの応用が強調されており、急増するデータ量の効率的な保管とAIワークロードへの対応を主な用途として位置づけている。Kioxia CTOのHideshi Miyajima氏はAIエージェントや物理AIへの展開を見据えてQLCの商業化を加速すると述べており、Sandisk CTOのAlper Ilkbahar氏もハイパースケールデータセンターの需要に応える新しいパラダイムとして位置づけた。現時点で一般向けSSD製品への搭載時期は明らかにされていない。
出典：Kioxia
管理人コメント
332層・4.8Gb/sときたら、もはや「フラッシュ」というより「ダッシュ」ですね。これだけの密度と速度が実現すれば、将来の大容量SSDへの期待は高まるばかり……でも「商業化を加速」という言葉が出るたびに財布も加速するのが悲しいゲーマーの性というものだ。
