IntelがHigh-NA EUV露光装置を使って処理した300mmウエハーが、累計100万枚を突破した。High-NA EUVの実用化を進める半導体メーカーのなかで、Intelが先行して大規模な運用経験を蓄積していることを示す節目となる。
High-NA EUVは、現在広く使われているEUV露光技術より高い開口数を持ち、さらに微細な回路を一度の露光で形成できる。将来のCPUやGPUなど、より高密度な半導体を製造するための重要技術と位置付けられている。
Intelによる100万枚には、装置導入時の認定作業、研究開発、試験生産、実際の製品生産で処理したウエハーが含まれる。そのため100万枚すべてが市販CPUとして出荷されたという意味ではない。
一方、High-NA EUVはすでに研究室だけの技術でもない。Intelは18AプロセスでHigh-NA EUVを認定しており、一部のPanther Lake製品では特定レイヤーの製造へ実際に使用しているという。
Intelは現在、ASMLのTWINSCAN EXE:5000を2台と、より高速なEXE:5200Bを少なくとも1台保有している。2025年2月時点ではHigh-NA EUVで処理した累計ウエハーが約3万枚とされていたため、約1年半で運用規模が大きく拡大した。
Tom’s Hardwareは、ASMLが2026年4月時点で出荷済みHigh-NA EUV装置全体の累計処理枚数を50万枚超としていたことから、Intel単独の累計100万枚は他社を大きく上回る規模だと指摘している。
ただしHigh-NA EUVにも課題がある。現在の6×6インチフォトマスクでは一度に露光できる面積が従来EUVの半分となるため、大型ダイでは2回に分けて露光して接続する「スティッチング」が必要になる。
この方法はスループット低下や位置合わせの難しさにつながるため、Intelを含む半導体業界は大型の6×12インチフォトマスク導入も検討している。実現には露光装置だけでなく、マスク製造、検査、搬送、EDAなど周辺環境全体の変更が必要になる。
一般ユーザーがHigh-NA EUVを直接意識してCPUを選ぶ必要はない。それでも微細化を続けられるかどうかは、将来のCPUやGPUの性能、消費電力、生産コストを左右する。Intelが量産に近い環境で経験を積み始めたことは、今後の半導体製造競争を見るうえで重要な動きだ。
管理人コメント
100万枚のすべてが製品ウエハーではありませんが、High-NA EUVを「未来の研究装置」から実際の製造へ持ってきた経験値はIntelがかなり先行しています。ユーザーがこれだけでIntel CPUを選ぶ話ではないものの、微細化は将来の性能・消費電力・コストの土台。製造技術でIntelがどこまで巻き返せるかを見る重要な数字です。
