IntelのCEOであるリップ・ブー・タン氏が、メモリ分野への再参入を示唆する発言を行った。同氏はメモリがもはやコモディティビジネスではなく、大きなイノベーションの可能性を秘めていると述べており、Intelが新たなメモリアーキテクチャや3Dスタッキング技術の開発に意欲を示していることが明らかになっている。
Intelはもともと1968年の創業当初からメモリ半導体メーカーとして出発した企業であり、最初の製品も3101 SRAMと1103 DRAMというメモリチップだった。その後、長年にわたって最前線のメモリ技術から距離を置いていたが、直近では元SK HynixのCEOであるSeok-Hee Lee氏をファウンドリ事業および先端パッケージング技術担当のEVPとして招聘するなど、静かにメモリ分野への布石を打ち続けているとされる。
現在IntelはパートナーとともにXBMやZAMといった次世代メモリ技術の開発を進めているとみられる。過去にはHMC（Hybrid Memory Cube）やMCDRAMといったDRAM関連プロジェクトが商業化に至らなかった経緯もあるが、今回はその反省を踏まえた軌道修正が図られている模様だ。また以前のOptane技術（3D XPointアーキテクチャ）は2022年に終息しており、今回の動きはそれ以来約4年ぶりのメモリ分野への本格的な関与となる。
タン氏はCPUとメモリを3Dスタッキングによって統合し、新たなアーキテクチャを模索する考えも示唆している。エージェントAIや推論処理向けの需要が急拡大する中で、DRAMウォール（メモリ帯域幅がCPU性能向上の壁になる問題）を突破することが業界全体の課題となっており、Intelはこの局面を自社の再参入機会と捉えているとみられる。メモリ市場は現在でも供給不足が続いており、Intelの参入が実現すれば市場全体に大きな影響を与える可能性がある。
出典：https://wccftech.com/intel-ceo-hints-that-chipzilla-might-return-to-making-memory/
管理人コメント
Intelがメモリビジネスに帰ってきた……「創業の地に錦を飾る」展開ですが、過去の挑戦が何度も商業化ならずに終わったことを思うと、今度こそXBMやZAMが「XBM（エックス・バム！）」と鮮やかに炸裂するのか注目したいところ。DRAMウォールをぶち抜く新アーキテクチャ、期待で震えながら続報を待ちます！
