Samsung、SK hynix、Micronの大手メモリメーカー3社がDDR6の初期開発に着手したことが明らかになった。韓国メディアTheElecの報道によると、各社はすでに基板サプライヤーに対して設計準備を要請しており、JEDECによる正式な規格策定が完了する前の段階でも共同開発を進めているという。
現時点では部分的な設計データを基に作業が進められており、メモリの厚さや基板構造、配線に関する初期情報が共有されている段階だ。基板業界の関係者によると、「メモリメーカーと基板メーカーは通常、製品発売の2年以上前から共同開発を進める」とされており、今回の動きはその慣例に沿ったものとみられる。量産に向けたテストサンプルの準備が目標とされている。
DDR6の性能面では、JEDECのロードマップ情報として、DDR5の上限速度のおよそ2倍にあたる17.6Gbpsという数値が示されている。仮にDDR6-17600として計算すると、理論帯域は64bit幅のシングルチャンネルで140.8GB/s、デュアルチャンネルでは281.6GB/sとなり、DDR5-8000の約2.2倍に達する。これが実現すれば、ゲームや映像制作、AI処理など高帯域を要求するワークロードにおいて大幅な性能向上が期待される。商用製品の登場は2028年から2029年頃が見込まれているとのことだ。
一方で価格動向は不透明な部分が残る。DDR5はAIによるメモリ需要の高まりを受けて市場価格が再び上昇傾向にあり、DDR6も登場初期は高価格帯でのスタートとなる可能性が高いとみられる。DDR5が当初の高価格から時間をかけて普及価格帯に落ち着いたように、DDR6も長期的には手の届く価格になるかどうかが注目点となるだろう。
出典：TheElec
管理人コメント
DDR6が超絶に速くなりそうなのは分かった。ロードマップ上の17.6GbpsをDDR6-17600として計算すると、DDR5-8000の約2.2倍。だが、価格まで2倍速で加速するのは勘弁してほしい。メモリより先に、財布が帯域不足を起こしそうだ。
